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ADDS阿爾茨海默病診斷系統(tǒng)[模擬設(shè)計(jì)][醫(yī)療電子]

ADDS阿爾茨海默病診斷系統(tǒng)采用國(guó)際通用的MMSE與ADL量表與動(dòng)態(tài)腦電圖（EEG）監(jiān)測(cè)相結(jié)合的方式，通過對(duì)不同時(shí)頻、空域及交互干預(yù)下，α波、β波和θ波的奇異值分解矩陣參數(shù)、復(fù)雜度近似熵、小波熵等非線性特征量提取選擇，應(yīng)用變尺度最大相關(guān)最小冗余算法，實(shí)現(xiàn)變尺度特征選擇。采用圖形繪制平行坐標(biāo)圖與雷達(dá)圖結(jié)合形式，對(duì)EEG（腦電）及行為控制力進(jìn)行可視化綜合量化分析，通過對(duì)圖形繪制過程的實(shí)時(shí)記錄和描點(diǎn)分布計(jì)算，并對(duì)EEG（腦電）生理參數(shù)進(jìn)行時(shí)頻空域的變尺度奇異值分析計(jì)算，實(shí)現(xiàn)對(duì)阿爾茨海默病的診斷及早期風(fēng)險(xiǎn)的評(píng)估。

發(fā)表于：2/16/2017

游走于交通規(guī)則之外當(dāng)自動(dòng)駕駛遇到施工道路該如何應(yīng)對(duì)[其他][汽車電子]

當(dāng)你開車時(shí)，施工區(qū)域無疑是個(gè)讓人心煩的存在。而當(dāng)你開著自動(dòng)駕駛汽車時(shí)，施工區(qū)的危害性就不僅僅是讓你心煩了，一不小心，它就變成了災(zāi)難的源泉。進(jìn)入公路施工區(qū)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)自己進(jìn)入到了一個(gè)游走于交通規(guī)則之外的世界：圓錐路障代替了雙黃線，腳手架旁的信號(hào)燈代替了紅綠燈，臨時(shí)標(biāo)志代替了交通牌。所有交通規(guī)則仿佛都不在它眼里。

發(fā)表于：2/16/2017

星載65 nm抗輻射GNSS接收機(jī)ASIC的SEFI實(shí)驗(yàn)方法[通信與網(wǎng)絡(luò)][航空航天]

在抗輻射GNSS接收機(jī)的研發(fā)過程中，由于Xilinx 600萬門FPGA在軌單粒子翻轉(zhuǎn)（Single Event Upset，SEU）效應(yīng)嚴(yán)重，而自主研發(fā)抗輻射GNSS接收機(jī)ASIC是最有效的解決辦法。以航天五院重點(diǎn)型號(hào)項(xiàng)目“XX-2”項(xiàng)目為依托，在國(guó)內(nèi)首次采用65 nm抗輻射工藝，用單個(gè)ASIC芯片實(shí)現(xiàn)了1 200萬門規(guī)模的星載抗輻射GNSS接收機(jī)ASIC。但是，對(duì)此款新工藝/大規(guī)模/功能復(fù)雜的ASIC芯片進(jìn)行單粒子功能中斷測(cè)定是一個(gè)難題。通過在FPGA上模擬GNSS數(shù)字中頻信號(hào)和DSP配置輸入，然后由芯片的EMIF接口實(shí)時(shí)讀取芯片內(nèi)部關(guān)鍵數(shù)據(jù)來進(jìn)行SEU/ SEFI的判斷，并設(shè)計(jì)了SEFI判斷準(zhǔn)則和相應(yīng)的輻照實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)方案。

發(fā)表于：2/16/2017

一種改進(jìn)的高性能處理器網(wǎng)絡(luò)子系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

針對(duì)傳統(tǒng)處理器網(wǎng)絡(luò)子系統(tǒng)在高速網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下的性能瓶頸，特別是BD管理效率低、數(shù)據(jù)傳輸延遲大等問題，提出一種改進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)子系統(tǒng)架構(gòu)。該架構(gòu)將BD管理功能從NIC上移至處理器，并擴(kuò)展了BD信息，同時(shí)增加了cache的查找和讀后無效操作。通過Simics模擬器對(duì)系統(tǒng)架構(gòu)進(jìn)行了仿真及評(píng)估。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，較傳統(tǒng)的架構(gòu)和采用DCA技術(shù)的架構(gòu)相比，改進(jìn)后架構(gòu)在取得了更高帶寬利用率的同時(shí)，降低了CPU利用率，更好地保持了性能和資源的平衡。

發(fā)表于：2/16/2017

中國(guó)汽車最愛減配10部位你都知道嗎？[EDA與制造][汽車電子]

關(guān)于減配這事，通常要客觀看待，畢竟中國(guó)的國(guó)情確實(shí)有所不同，由于中國(guó)的消費(fèi)者需要真皮座椅、需要天窗、需要后排空調(diào)出風(fēng)口，而這些東西在國(guó)外通常都是選配才有的東西。

發(fā)表于：2/16/2017

蛇形走線的作用[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

蛇形走線的作用

發(fā)表于：2/16/2017

如何做一塊好的PCB板[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

如何做一塊好的PCB板

發(fā)表于：2/16/2017

電子技術(shù)幫助腦部治療探索全新領(lǐng)域[其他][醫(yī)療電子]

在德州大學(xué)達(dá)拉斯分校的部分實(shí)驗(yàn)室中，Robert Rennaker博士所提出的“定向可塑”腦部康復(fù)研究正處于技術(shù)與現(xiàn)代醫(yī)學(xué)的最前沿。

發(fā)表于：2/15/2017

信號(hào)跨時(shí)鐘域問題分析及驗(yàn)證方法研究[可編程邏輯][航空航天]

航天用FPGA設(shè)計(jì)復(fù)雜度越來越高，其表現(xiàn)之一就是設(shè)計(jì)中存在多個(gè)時(shí)鐘域，當(dāng)信號(hào)從一個(gè)時(shí)鐘域進(jìn)入另一個(gè)時(shí)鐘域，即不同時(shí)鐘域之間發(fā)生數(shù)據(jù)交互時(shí)，就會(huì)帶來信號(hào)跨時(shí)鐘域產(chǎn)生的亞穩(wěn)態(tài)問題（CDC問題）。亞穩(wěn)態(tài)問題雖普遍存在，但依靠傳統(tǒng)的驗(yàn)證手段即功能仿真或者時(shí)序仿真是很難定位的，提出一種分層次、多模式的跨時(shí)鐘域驗(yàn)證方法，為跨時(shí)鐘域問題分析確認(rèn)提供強(qiáng)有力的參考。

發(fā)表于：2/15/2017

恒定壓控增益的寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)[模擬設(shè)計(jì)][通信網(wǎng)絡(luò)]

采用SMIC 0.18 μm Mixed Signal CMOS工藝設(shè)計(jì)了恒定壓控增益的寬帶LC壓控振蕩器。采用模擬式振幅負(fù)反饋的方式，通過模擬電路實(shí)現(xiàn)對(duì)偏置電流的負(fù)反饋控制，同時(shí)采用了通過數(shù)字控制的單刀雙擲開關(guān)控制可變電容陣列的調(diào)諧，并且對(duì)固定電容單元進(jìn)行開關(guān)的方法，從而實(shí)現(xiàn)恒定的壓控增益且相鄰頻帶之間的頻率間隔近似相等。后仿真結(jié)果表明，本設(shè)計(jì)的LC VCO調(diào)諧頻率范圍2.15~3.03 GHz，壓控增益在全部頻率調(diào)諧范圍內(nèi)為70~80 MHz/V，相位噪聲在全部頻率調(diào)諧范圍內(nèi)低于-120.0 dBc/Hz@1 MHz。

發(fā)表于：2/15/2017

基于FPGA的TMR電路跨時(shí)鐘域同步技術(shù)[可編程邏輯][其他]

三模冗余(TMR)電路中的跨時(shí)鐘域信號(hào)可能會(huì)受到來自信號(hào)偏差和空間單粒子效應(yīng)(SEE)的組合影響。通過建立數(shù)學(xué)模型，對(duì)這兩個(gè)問題進(jìn)行分析和量化。最后針對(duì)長(zhǎng)脈寬和短脈寬源信號(hào)的不同情況，提出了相應(yīng)的解決方案。

發(fā)表于：2/14/2017

晶體管場(chǎng)環(huán)終端技術(shù)的優(yōu)化設(shè)計(jì)及應(yīng)用[模擬設(shè)計(jì)][工業(yè)自動(dòng)化]

主要研究晶體管中浮空?qǐng)霏h(huán)的技術(shù)原理和設(shè)計(jì)優(yōu)化及其在實(shí)際應(yīng)用中對(duì)晶體管耐壓性能的影響。在實(shí)際產(chǎn)品版圖設(shè)計(jì)中采用了浮空?qǐng)霏h(huán)設(shè)計(jì)并通過優(yōu)化場(chǎng)環(huán)間距來滿足晶體管的高耐壓要求,并通過Silvaco軟件進(jìn)行工藝和器件仿真。根據(jù)仿真結(jié)果及理論計(jì)算進(jìn)行浮空?qǐng)霏h(huán)優(yōu)化設(shè)計(jì)，并通過實(shí)際流片驗(yàn)證浮空?qǐng)霏h(huán)對(duì)晶體管耐壓性能的提高效果。

發(fā)表于：2/14/2017

65 nm反相器單粒子瞬態(tài)脈寬分布的多峰值現(xiàn)象[模擬設(shè)計(jì)][其他]

基于65 nm工藝下單粒子瞬態(tài)脈寬檢測(cè)電路，在重離子輻照下，對(duì)目標(biāo)單元單粒子瞬態(tài)脈寬進(jìn)行了測(cè)試。針對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果中單粒子瞬態(tài)脈寬分布出現(xiàn)多峰的現(xiàn)象進(jìn)行了分析。詳細(xì)對(duì)比了反相器多峰現(xiàn)象與LET值、溫度、閾值電壓間的關(guān)系。通過TCAD仿真分析了多峰現(xiàn)象的原因，即PMOS由于寄生雙極效應(yīng)，在高LET粒子攻擊下產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖脈寬大于粒子攻擊NMOS產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖脈寬。高溫條件會(huì)使得寄生雙極效應(yīng)更加嚴(yán)重，因此在高溫條件下脈寬分布的多峰現(xiàn)象更加明顯。

發(fā)表于：2/13/2017

4H-SiC MESFET特性對(duì)比及仿真[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

通過對(duì)雙凹柵結(jié)構(gòu)和階梯柵結(jié)構(gòu)4H-SiC MESFET的直流特性對(duì)比，得出階梯柵結(jié)構(gòu)的直流特性優(yōu)于雙凹柵結(jié)構(gòu)。對(duì)階梯柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行極限化處理后，引出了坡形柵4H-SiC MESFET的結(jié)構(gòu)及其特征參數(shù)EPCG，通過仿真對(duì)比了坡形柵4H-SiC MESFET結(jié)構(gòu)EPCG分別為1/4柵、1/2柵、3/4柵和全柵時(shí)的直流特性。結(jié)果表明，當(dāng)EPCG為1/2柵時(shí)，最大飽和漏電流取得最大值，在VG=0 V、VDS=40 V的條件下達(dá)到了545 mA；當(dāng)EPCG為1/4柵、3/4柵和全柵時(shí)，最大飽和漏電流均不如EPCG為1/2柵時(shí)取得的最大值。

發(fā)表于：2/13/2017

經(jīng)典常用的單片機(jī)c程序[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

經(jīng)典常用的單片機(jī)c程序

發(fā)表于：2/13/2017