工業(yè)自動化最新文章 臺積電稱暫無為先進制程導入High NA EUV必要 5 月 28 日消息，臺積電負責業(yè)務開發(fā)及全球業(yè)務的資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席 COO 張曉強在荷蘭阿姆斯特丹當?shù)貢r間昨日舉行的公司 2025 年技術論壇歐洲場上表示，臺積電暫無為先進制程導入 High NA EUV 的必要。 張曉強表示，臺積電新近公布的 1.4nm 級邏輯制程 A14 即使沒有導入 High NA EUV 圖案化設備，提升幅度也相當可觀。 發(fā)表于：5/28/2025 消息稱SK海力士計劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存 5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報道稱，SK海力士計劃今年十月開始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應英偉達計劃明年推出的 "Rubin" 架構 AI GPU 的需求。 發(fā)表于：5/28/2025 臺積電警告稱芯片關稅可能削弱其在美1650億美元投資計劃 5 月 28 日消息，臺積電呼吁美國商務部豁免芯片進口關稅，警告加征關稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴建計劃，并威脅美國在半導體產(chǎn)業(yè)的領導地位。今年 3 月，臺積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計劃再建三座晶圓廠、兩座先進封裝廠和一個研發(fā)中心，總投資額累計 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。 發(fā)表于：5/28/2025 消息稱三星電子調(diào)整HBM團隊組織架構 押寶定制化產(chǎn)品 5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報道，三星電子 DS（設備解決方案）部門負責人全永鉉正在對內(nèi)部組織進行大刀闊斧的改革。 據(jù)悉，全永鉉在被外界評價為“錯失開發(fā)時機”的高帶寬存儲器（HBM）業(yè)務上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開發(fā)團隊細分為標準 HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團隊。 發(fā)表于：5/28/2025 3年虧損超8億元 基本半導體向港交所遞交上市申請 5月27日，據(jù)港交所官網(wǎng)顯示，中國碳化硅功率器件廠商——深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）正式向港交所遞交了上市申請表，中信證券、國金證券(香港)有限公司、中銀國際為其聯(lián)席保薦人。 發(fā)表于：5/28/2025 英飛凌推出PSOC? 4100T Plus MCU 【2025年5月27日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用Multi-Sense技術的 Arm® Cortex®-M0+ 微控制器（MCU）——PSOC? 4100T Plus。這款新型MCU集豐富的模擬和數(shù)字功能于一身，擁有128K閃存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense這一包含CAPSENSE?、電感式傳感和液位傳感功能的英飛凌先進技術。PSOC? 4100T Plus 還擁有更高的可靠性以及多種增強功能和先進傳感功能，為系統(tǒng)控制和人機接口（HMI）應用提供了完整的解決方案。 發(fā)表于：5/28/2025 意法半導體推出兩款GaN半橋驅(qū)動器，可提高能效和魯棒性 2025年5月27日，中國——意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。 發(fā)表于：5/28/2025 我國小衛(wèi)星太陽翼立體存儲系統(tǒng)建成投入使用 5月28日消息，中國空間技術研究院宣布，近日，由五院529廠與航天東方紅共同建設的小衛(wèi)星太陽翼立體存儲系統(tǒng)正式通過驗收，投入使用。 據(jù)介紹，該系統(tǒng)由提升機、出入庫平臺、貨架、托盤及智能倉儲管理系統(tǒng)等組件構成，總體占地面積70余平方米，高度近12米。 系統(tǒng)共配置26個獨立存儲托盤，單一托盤載重能力大于1噸，可同時存放多組小衛(wèi)星太陽翼及模擬墻組合體。 發(fā)表于：5/28/2025 臺積電3nm產(chǎn)能利用率已達100% 5月26日消息，根據(jù)韓國媒體ZDnet Korea 的報導，近年來，受惠于人工智能（AI）芯片需求的強勁成長，臺積電正積極提升其先進制程的生產(chǎn)比例。尤其是當前已經(jīng)進入量產(chǎn)的3nm制程，以及即將要進入量產(chǎn)的2nm制程技術，更是觀察其半導體市場健康狀態(tài)的重點。 報道稱，臺積電已經(jīng)量產(chǎn)的3nm制程的產(chǎn)能利用率，在過去一段時間內(nèi)有顯著提升。根據(jù)市場調(diào)研機構Counterpoint Research 的報告，自量產(chǎn)以來，3nm制程經(jīng)過五季的提升，首次達到了100%的利用率狀況。帶動這股強勁需求的，首先是對x86 PC 中央處理器（CPU）的需求大幅提升，以及其他應用處理器，這些芯片廣泛應用于高效能運算和旗艦智能手機上。其中包含了蘋果用于其最新產(chǎn)品的A17 Pro 和A18 Pro 芯片。 發(fā)表于：5/27/2025 美國政府半導體關稅出臺在即！ 5月27日消息，針對美國商務部《貿(mào)易擴張法》第232條進行的半導體進口國家安全調(diào)查，英特爾、美光和高通等美國半導體巨頭以及美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）近日都向美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見評論，紛紛敦促美國總統(tǒng)特朗普謹慎對待半導體關稅，并警告一旦施行廣泛的關稅，可能對美國半導體產(chǎn)業(yè)造成嚴重意外損害。 根據(jù)此前報道，美國特朗普政府可能很快將會推出針對半導體加征關稅的政策，市場傳聞稅率可能高達25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來加征關稅，這也將對臺積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠商，以及以及英偉達、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于圓代工產(chǎn)能的芯片設計廠商帶來負面影響。 發(fā)表于：5/27/2025 消息稱三星電子MLC NAND閃存準備停產(chǎn) 5 月 27 日消息，韓國 TheElec 報道稱，三星電子當?shù)貢r間 26 日對客戶透露 MLC NAND 閃存即將停產(chǎn)，計劃在下個月接受最后的 MLC 芯片訂單。 TheElec 報道稱，三星電子在通報最后 MLC NAND 排產(chǎn)計劃的同時，還向部分客戶通報了 MLC 漲價的計劃，促使客戶開始尋求新的替代供應商。 發(fā)表于：5/27/2025 施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術重構變頻器防護標準 在工業(yè)自動化領域，變頻器作為核心控制設備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機性能。然而，復雜的使用環(huán)境對變頻器PCB電路板的防護提出了嚴苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術有限公司正是在這一行業(yè)痛點中，通過與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術實現(xiàn)產(chǎn)品競爭力的跨越式提升。 發(fā)表于：5/27/2025 臺積電發(fā)強硬聲明硬杠美國芯片關稅 5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道，美國商務部針對半導體關稅的所謂“232調(diào)查”意見報告即將出爐，半導體關稅呼之欲出。 近日，晶圓代工龍頭臺積電致函美政府的全文首度曝光，其措詞強硬地警告稱，若美方執(zhí)意對芯片征收進口關稅，將影響該公司在美國亞利桑那州的投資計劃。 發(fā)表于：5/27/2025 環(huán)球晶圓加入Wolfspeed客戶爭奪戰(zhàn) 5月26日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，針對近日全球碳化硅（SiC）龍頭Wolfspeed將申請破產(chǎn)保護一事，半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示，希望爭取Wolfspeed原來合作客戶轉(zhuǎn)單的機會。 發(fā)表于：5/27/2025 三星將在2028年前采用玻璃中介層技術 5月25日消息，據(jù)ET新聞報道，三星電子計劃從 2028 年開始在芯片封裝中采用玻璃中介層，預計可以提供更好的性能、更低的成本和更快的生產(chǎn)，將徹底改變 AI芯片封裝。 在芯片制造中，中介層是 2.5D 芯片封裝的關鍵部件，尤其是對于 AI 芯片來說，比如GPU和高帶寬內(nèi)存（HBM）需要依靠中介層來連接這兩個組件，以實現(xiàn)更快的通信。雖然傳統(tǒng)的硅中介層很有效，但其成本遠高于玻璃中介層，而且玻璃中介層對超精細電路具有更高的精度和更高的尺寸穩(wěn)定性。玻璃中介層的優(yōu)勢絕對超過了傳統(tǒng)的硅中介層，這使它們成為下一代 AI 芯片的關鍵技術。 發(fā)表于：5/26/2025 ?…10111213141516171819…?
