美國繼續(xù)施壓韓國對華芯片圍堵

據(jù)《韓國先驅(qū)報》11日報道，美國正加緊向韓國施壓，要求其配合美方對華出口管制，敦促韓國只向盟國提供高帶寬內(nèi)存（HBM）等先進(jìn)芯片。中方此前多次就美國對華芯片出口管制表明立場，堅決反對美方脅迫其他國家搞對華出口限制。 報道稱，美國商務(wù)部負(fù)責(zé)工業(yè)和安全事務(wù)的副部長埃斯特維茲當(dāng)?shù)貢r間10日在美國華盛頓特區(qū)舉行的“2024年韓美經(jīng)濟(jì)安全會議”上，呼吁韓國芯片制造商向韓國盟國而不是中國等國供應(yīng)HBM芯片。

發(fā)表于：9/13/2024

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)線以便于專注先進(jìn)HBM內(nèi)存量產(chǎn)

9 月 12 日消息，韓媒 The Elec 當(dāng)?shù)貢r間本月 4 日報道稱，SK 海力士未來將在 HBM 領(lǐng)域采取質(zhì)量優(yōu)先的整體策略，專注于尖端 HBM 內(nèi)存的開發(fā)與量產(chǎn)，而傳統(tǒng) HBM 產(chǎn)品則將被逐步淘汰。 在三星電子計劃把 HBM 內(nèi)存的組裝檢測工藝外包給控股子公司 STeco 的同時，SK 海力士仍計劃自行內(nèi)部解決 HBM 生產(chǎn)的全部工序，在進(jìn)一步提升 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能上較為保守。

發(fā)表于：9/13/2024

英特爾計劃明年年底前關(guān)閉愛爾蘭香農(nóng)研發(fā)中心

9 月 13 日消息，據(jù)《愛爾蘭時報》9 月 6 日報道，英特爾研發(fā)部的員工被告知，該公司計劃在明年年底前關(guān)閉位于愛爾蘭克萊爾郡香農(nóng)的工廠，該公司在愛爾蘭的運(yùn)營基地將遷往英特爾在萊克斯利普的園區(qū)。 報道稱，英特爾位于香農(nóng)的研發(fā)部門雇用了大約 750 人，那里的員工也獲得了與該集團(tuán)其他部門員工相同的裁員或提前退休選擇。 當(dāng)被問及香農(nóng)研發(fā)中心的未來時，英特爾的一位發(fā)言人表示，該公司正在“改變我們的全球房地產(chǎn)戰(zhàn)略，將重點(diǎn)放在人口更多的地區(qū)。我們?nèi)栽跒槊總€業(yè)務(wù)部門制定計劃。我們將在未來幾個月提供更詳細(xì)的信息?！?

發(fā)表于：9/13/2024

全球首個氫內(nèi)燃機(jī)批量發(fā)電項目在北京亦莊啟動

9 月 13 日消息，據(jù)中關(guān)村至臻環(huán)保官方消息，9 月 11 日，由中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)與德國道依茨股份有限公司合作的氫氣內(nèi)燃機(jī)發(fā)電示范項目在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)點(diǎn)火啟動。該項目是北京市近年來在氫能領(lǐng)域引進(jìn)的重點(diǎn)項目，也是全球首個氫內(nèi)燃機(jī)批量發(fā)電項目。

發(fā)表于：9/13/2024

龍芯LoongArch 生態(tài)聯(lián)合創(chuàng)新實驗室-百芯計劃啟動

龍芯LoongArch 生態(tài)聯(lián)合創(chuàng)新實驗室-百芯計劃啟動：全國范圍選擇百所高校，共建百個“芯片聯(lián)合實驗室”

發(fā)表于：9/13/2024

英特爾Altera首席執(zhí)行官否認(rèn)將被整體出售

英特爾旗下子公司Altera首席執(zhí)行官Sandra Rivera在接受外媒采訪時否認(rèn)了近期有關(guān)該公司將被英特爾整體出售的傳聞，表示英特爾并未改變在2026年推動Altera完成IPO并出售部分在Altera持股的計劃。 Sandra Rivera在采訪中表示，雖然Altera從年初開始獨(dú)立運(yùn)營，但其業(yè)務(wù)仍與母公司存在一定聯(lián)系，而這一獨(dú)立“脫鉤”過程目前的進(jìn)度快于預(yù)期，目標(biāo)在2025年1月1日前完成關(guān)系分離。 她還提到，Altera將通過再次獨(dú)立的過程“專注于從上到下、從云到邊緣的廣泛FPGA業(yè)務(wù)”，該公司上下專注的終極目標(biāo)是成為FPGA行業(yè)第一，而在這一過程中實現(xiàn)IPO是重要的里程碑。

發(fā)表于：9/13/2024

華為預(yù)測大模型首次投入寶鋼生產(chǎn)控制

華為預(yù)測大模型首次投入寶鋼生產(chǎn)控制：完美通過專家團(tuán)隊評估

發(fā)表于：9/13/2024

三星因2nm良率過低已撤出美國泰勒廠人員

9月12日消息，據(jù)韓媒Business Korea報道，由于 2nm 良率持續(xù)存在問題，三星電子已決定從其位于美國的泰勒工廠撤出人員，這標(biāo)志著其先進(jìn)的代工業(yè)務(wù)遭受重大挫折。該決定是在大規(guī)模生產(chǎn)時間表一再推遲之后做出的，現(xiàn)在量產(chǎn)時間已從原來的2024年底推遲到了2026年。 三星對于美國泰勒工廠最初設(shè)想為 4nm以下先進(jìn)工藝的大規(guī)模生產(chǎn)中心，目的是靠近主要的美國客戶，為他們提供本地化的制造服務(wù)。然而，盡管工藝開發(fā)迅速，但三星仍面臨 2nm 良率的挑戰(zhàn)，與其主要競爭對手臺積電相比，不僅性能較低且量產(chǎn)能力不足，良率也更低。

發(fā)表于：9/13/2024

IBM CEO再次回應(yīng)關(guān)閉中國研發(fā)部門

據(jù)財新網(wǎng)報道，IBM CEO Arvind Krishna 在 9 月 10 日一次面向 IBM 全球員工的內(nèi)部線上會議中對關(guān)閉中國區(qū)研發(fā)部門一事進(jìn)行了表態(tài)：“關(guān)閉中國研發(fā)部門已是完成時，不可撤銷?！? 我真的希望我們能夠?qū)Ｗⅲ覀冃枰獞?zhàn)略要地（strategic sites），這些要地是能夠容納數(shù)千人團(tuán)隊的地方。 他明確指出，目前 IBM 的全球戰(zhàn)略要地包括了美國的奧斯汀、圣何塞，加拿大多倫多，波蘭克拉科夫，愛爾蘭都柏林，印度班加羅爾和科欽，而中國不在這些區(qū)域內(nèi)。 IBM 總部工作人員回應(yīng)新浪科技稱：“研發(fā)與業(yè)務(wù)是分離的兩個部門，研發(fā)的轉(zhuǎn)移并不影響業(yè)務(wù)持續(xù)提供，目前業(yè)務(wù)運(yùn)營還能開展，可提供技術(shù)支持。”他表示，“除特別先進(jìn)的技術(shù)外，目前 IBM 的一些技術(shù)，也是由國內(nèi)本地化的團(tuán)隊在提供?！?/a>

艾邁斯歐司朗亮相2024 CIOE，多款創(chuàng)新產(chǎn)品引領(lǐng)光電新潮

　　中國 上海，2024年9月11日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，將攜傳感、光源和可視化領(lǐng)域最新產(chǎn)品和技術(shù)組合，亮相第二十五屆中國國際光電博覽會（CIOE）。作為新質(zhì)生產(chǎn)力的代表，光電技術(shù)正高效賦能千百行業(yè)，不僅重塑傳統(tǒng)制造業(yè)，推動智能制造與工業(yè)自動化邁向新高度，更在智慧城市、信息通信等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。艾邁斯歐司朗憑借在光電領(lǐng)域卓越的產(chǎn)品研發(fā)和創(chuàng)新能力，始終引領(lǐng)光電技術(shù)不斷突破，助力推動中國產(chǎn)業(yè)數(shù)智化轉(zhuǎn)型。

發(fā)表于：9/12/2024

英飛凌成功推出全球首款300mm GaN晶圓

英飛凌成功推出全球首款300mm GaN晶圓

發(fā)表于：9/12/2024

美國政府將延后對英特爾的85億美元芯片法案補(bǔ)貼撥款

美國政府將延后對英特爾的85億美元“芯片法案”補(bǔ)貼撥款

發(fā)表于：9/12/2024

韓企One Semiconductor宣布量產(chǎn)DDR5第二子代RCD

9 月 11 日消息，韓國 One Semiconductor 當(dāng)?shù)貢r間本月 8 日宣布，成功實現(xiàn) DDR5 第二子代（IT之家注：支持 5600MT/s）RCD 芯片的開發(fā)與量產(chǎn)，產(chǎn)品已獲一家美國 CPU 制造商認(rèn)證。 追趕內(nèi)存接口芯片三大廠，韓 One Semiconductor 量產(chǎn) DDR5 第二子代 RCD 內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域目前由中國瀾起、美國 Rambus 和日本瑞薩三家企業(yè)主導(dǎo)，其它參與方逐漸淡出市場舞臺。在 One Semiconductor 之前，坐擁 DRAM 三巨頭之二的韓國卻沒有一家能提供內(nèi)存接口芯片的企業(yè)。

發(fā)表于：9/12/2024

京東方MLED生產(chǎn)基地落戶珠海

京東方 MLED 生產(chǎn)基地落戶珠海，預(yù)計明年一季度全面量產(chǎn)

發(fā)表于：9/12/2024

臺積電首臺High-NA EUV將放置在其全球研發(fā)中心

臺積電全球研發(fā)中心本月將接收首臺High-NA EUV

發(fā)表于：9/12/2024