工業(yè)自動(dòng)化最新文章 三星計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)1000層NAND 2 月 26 日消息，三星電子 DS 部門 CTO 宋在赫（???）在上周于舊金山舉行的國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上發(fā)表主題演講，并展示了其晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應(yīng)用等技術(shù)。據(jù)介紹，這些技術(shù)將從 400 層的 NAND 閃存技術(shù)開始應(yīng)用，而且他還提到，“鍵合技術(shù)可用于（在 NAND 區(qū)域）實(shí)現(xiàn) 1000 多層（堆疊）”。 發(fā)表于：2/27/2025 DigiKey與Qorvo®宣布達(dá)成全球分銷協(xié)議 美國, 明尼蘇達(dá), 錫夫里弗福爾斯市 - 2025 年 02 月 25 日 Digikey 是全球領(lǐng)先的電子元器件和自動(dòng)化產(chǎn)品庫存分銷商，提供品類齊全且可立即發(fā)貨的產(chǎn)品。DigiKey 與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商之一的 Qorvo® 今日宣布達(dá)成一項(xiàng)全球分銷協(xié)議。此次合作將進(jìn)一步提升 Qorvo 高性能解決方案在全球客戶中的認(rèn)知度、可用性以及交付速度。 發(fā)表于：2/26/2025 美國擬施壓盟友升級(jí)對(duì)華芯片出口管制 2月26日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，美國最近與日本和荷蘭會(huì)面，討論限制兩國半導(dǎo)體設(shè)備制造商?hào)|京電子（TOKYO ELECTRON）和阿斯麥（ASML）工程師對(duì)在華半導(dǎo)體設(shè)備提供維護(hù)服務(wù)，以擴(kuò)大對(duì)中國獲取先進(jìn)技術(shù)的限制。 發(fā)表于：2/26/2025 消息稱意法半導(dǎo)體CEO將被免職 2 月 25 日消息，據(jù)彭博社援引知情人士消息稱，因?yàn)闃I(yè)績表現(xiàn)不佳，意大利政府希望罷免意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）現(xiàn)任 CEO 讓-馬克?謝里（Jean-Marc Chéry）。 發(fā)表于：2/26/2025 美光宣布1γ DRAM內(nèi)存開始出貨 2 月 25 日消息，美光科技剛剛宣布，已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節(jié)點(diǎn)、第六代（注：即 10nm 級(jí)）DRAM 節(jié)點(diǎn)的 DDR5 內(nèi)存樣品。 發(fā)表于：2/26/2025 我國人形機(jī)器人自主站立控制技術(shù)取得新突破 2 月 26 日消息，近年來，人形機(jī)器人在技術(shù)迭代與應(yīng)用場景拓展上取得了顯著進(jìn)展，其背后離不開數(shù)據(jù)與算法的深度融合。從基本的摔倒后快速站立，到逐步走進(jìn)家居、零售乃至工業(yè)領(lǐng)域，人形機(jī)器人的每一次“進(jìn)化”都標(biāo)志著技術(shù)的全新突破。 發(fā)表于：2/26/2025 國產(chǎn)射頻前端公司的價(jià)值與出路 在5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車等新興技術(shù)的推動(dòng)下，全球射頻前端市場正迎來前所未有的增長機(jī)遇。隨著5G技術(shù)的普及，射頻前端的復(fù)雜度顯著提升，對(duì)性能、功耗和集成度的要求也更高。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測，全球射頻前端市場規(guī)模將在未來幾年保持高速增長，預(yù)計(jì)到2028年將達(dá)到數(shù)百億美元。 發(fā)表于：2/26/2025 歐盟宣布向艾邁斯歐司朗提供2.27歐元補(bǔ)貼 2月25日消息，歐盟委員會(huì)依據(jù)《歐洲芯片法案》（European Chips Act）已批準(zhǔn)一筆 2.27歐元的補(bǔ)貼資金，以支持艾邁斯歐司朗在奧地利斥資14 億歐元建造半導(dǎo)體后端制造工廠，該后端制造工廠也將向其他歐洲客戶開放。 發(fā)表于：2/26/2025 【熱門活動(dòng)】2025年NI測試測量技術(shù)研討會(huì) NI一直致力于“在中國,為中國”，2025年NI測試測量技術(shù)研討會(huì)西安站即將開啟，破局智能測試，歡迎來聚！ 研討會(huì)將聚焦LabVIEW最新技術(shù)和全新框架，新產(chǎn)品介紹及應(yīng)用方案展示。歡迎西安的工程師到場與NI資深研發(fā)同事進(jìn)行深入交流，共同探討測試測量新技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用。 發(fā)表于：2/25/2025 三星電子公布HBM4E內(nèi)存規(guī)劃 2 月 24 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會(huì)議現(xiàn)場的采訪，三星電子在本次會(huì)議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標(biāo)： 發(fā)表于：2/25/2025 臺(tái)積電日本子公司第二晶圓廠調(diào)整為今年內(nèi)動(dòng)工 2 月 24 日消息，據(jù)日本熊本縣當(dāng)?shù)孛襟w《熊本日日新聞》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 21 日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動(dòng)工建設(shè)時(shí)間已從 2025 年一季度調(diào)整為 2025 年內(nèi)，不過該晶圓廠 2027 年投產(chǎn)的計(jì)劃沒有發(fā)生改變。 發(fā)表于：2/25/2025 英特爾首批兩臺(tái)ASML高數(shù)值孔徑光刻機(jī)已投產(chǎn) 2 月 25 日消息，英特爾公司于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一宣布，其工廠已開始使用 ASML 公司的首批兩臺(tái)先進(jìn)光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。早期數(shù)據(jù)顯示，這些新型光刻機(jī)的可靠性優(yōu)于舊款機(jī)型。 發(fā)表于：2/25/2025 CounterPoint：2024全球半導(dǎo)體收入同比增19% 2 月 25 日消息，市場調(diào)查機(jī)構(gòu) CounterPoint Research 昨日（2 月 24 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱受 AI 需求激增推動(dòng)，2024 年全球半導(dǎo)體收入預(yù)估達(dá)到 6210 億美元（注：當(dāng)前約 4.5 萬億元人民幣），同比增長 19%。 內(nèi)存市場表現(xiàn)尤為突出，收入同比增長高達(dá) 64%，三星鞏固了市場領(lǐng)導(dǎo)地位。同時(shí)，邏輯芯片收入也實(shí)現(xiàn)了 11% 的同比增長。英偉達(dá)憑借在 AI 領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，全年半導(dǎo)體收入更是實(shí)現(xiàn)了 50% 的同比增長。 發(fā)表于：2/25/2025 消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲(chǔ)的混合鍵合專利 2 月 24 日消息，隨著存儲(chǔ)行業(yè)的激烈競爭，推動(dòng) NAND 技術(shù)不斷進(jìn)步，一個(gè)令人驚訝的消息出現(xiàn)了： 據(jù)韓媒 ZDNet 今日?qǐng)?bào)道，三星可能將使用中國長江存儲(chǔ)的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開始。 報(bào)道稱，三星計(jì)劃于 2025 年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約 420 至 430 層。 報(bào)道還提到，三星和 SK 海力士據(jù)說正在與長江存儲(chǔ)協(xié)商一項(xiàng)專利協(xié)議。 發(fā)表于：2/25/2025 三星電機(jī)已關(guān)停昆山工廠退出HDI業(yè)務(wù) 2 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社，三星電機(jī)今日發(fā)布的 2024 年審計(jì)報(bào)告顯示，三星已于去年底完成 15 年歷史的昆山三星電機(jī)有限公司清算工作，正式退出高密度互連（HDI）智能手機(jī)主板業(yè)務(wù)。 國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)的記錄也證實(shí)了這一變化，顯示昆山三星電機(jī)有限公司的企業(yè)狀態(tài)在去年 10 月 24 日由存續(xù)變更為注銷，注銷原因?yàn)闆Q議解散。 發(fā)表于：2/25/2025 ?…93949596979899100101102…?
