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南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億

據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣內(nèi)存大廠南亞(Nanya)發(fā)生了一起內(nèi)部竊密案，涉及到20nm工藝技術(shù)，造成嚴(yán)重?fù)p失。 2015-2016年間，南亞從美光引入了20nm DRAM內(nèi)存芯片制造工藝，曾向相關(guān)業(yè)務(wù)部門(mén)的員工開(kāi)設(shè)了線上培訓(xùn)課程。南亞錦興工廠的一位李姓小組長(zhǎng)在參加培訓(xùn)的過(guò)程中，通過(guò)截屏的方式，偷偷記錄了相關(guān)技術(shù)資料，作為自己后續(xù)跳槽的資本。

發(fā)表于：3/5/2024

2024年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)增長(zhǎng)17%至6000億美元

2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。在地緣政治和整體經(jīng)濟(jì)等各種不確定因素的影響下，機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2023年全球IC設(shè)計(jì)和IDM行業(yè)收入將達(dá)到5230億美元，較上一年下降8.9%。機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，展望2024年，在AI應(yīng)用芯片和存儲(chǔ)需求的推動(dòng)下，全球半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)將達(dá)6000億美元，增長(zhǎng)17%，將進(jìn)一步恢復(fù)增長(zhǎng)。

發(fā)表于：3/5/2024

三星計(jì)劃采用英偉達(dá)“數(shù)字孿生”技術(shù)提升芯片良率以追趕臺(tái)積電

近幾年三星代工部門(mén)一直落后于其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，其生產(chǎn)的芯片性能也無(wú)法與臺(tái)積電的產(chǎn)品相媲美。據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃采用基于英偉達(dá) Omniverse 平臺(tái)的“數(shù)字孿生”技術(shù)，以期縮小與臺(tái)積電的差距。

發(fā)表于：3/5/2024

SK海力士三星電子HBM良率僅65%

據(jù)韓媒 DealSite 報(bào)道，SK 海力士、三星電子今年針對(duì) HBM 內(nèi)存大幅擴(kuò)產(chǎn)。不過(guò) HBM 內(nèi)存有著良率較低等問(wèn)題，難以跟上 AI 市場(chǎng)相關(guān)需求。作為 AI 半導(dǎo)體市場(chǎng)搶手貨的 HBM 內(nèi)存，其采用晶圓級(jí)封裝（WLP）：在基礎(chǔ)晶圓上通過(guò) TSV 硅通孔連接多層 DRAM 內(nèi)存晶圓，其中一層 DRAM 出現(xiàn)問(wèn)題就意味著整個(gè) HBM 堆棧的報(bào)廢。

發(fā)表于：3/5/2024

AI浪潮帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片再進(jìn)化

全球產(chǎn)業(yè)數(shù)位化，數(shù)位資料規(guī)模攀升，加上AI技術(shù)興起，全球?qū)Y料處理、大數(shù)據(jù)分析與AI應(yīng)用的需求快速增長(zhǎng)，間接提高對(duì)支援高效能運(yùn)算（HPC）與AI運(yùn)算的硬體裝置及芯片要求。以云端資料中心伺服器來(lái)說(shuō)，HPC與AI運(yùn)算需求下，需要搭配升級(jí)的芯片包含作為運(yùn)算核心的中央處理器（CPU）與圖形處理器（GPU）、伺服器基板管理芯片（BMC）、電源管理芯片（PMIC）、高速傳輸芯片，以及存儲(chǔ)等。其中，存儲(chǔ)除用于長(zhǎng)期儲(chǔ)存資料、屬于非揮發(fā)性存儲(chǔ)的NAND Flash固態(tài)硬盤(pán)（SSD），也包含用于即時(shí)高速運(yùn)算暫存資料、屬于揮發(fā)性存儲(chǔ)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（SRAM）與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（DRAM）。

發(fā)表于：3/5/2024

使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率

　　設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）技術(shù)用于芯片設(shè)計(jì)，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計(jì)規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設(shè)計(jì)符合制造要求，且不會(huì)導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見(jiàn)的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過(guò)程中出現(xiàn)短路、斷路、材料過(guò)量或其他器件故障。

發(fā)表于：3/4/2024

芯原業(yè)界領(lǐng)先的嵌入式GPU IP賦能先楫高性能的HPM6800系列RISC-V MCU

　　2024年3月4日，中國(guó)上海——芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）今日宣布先楫半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱“先楫”）的HPM6800系列新一代數(shù)字儀表顯示及人機(jī)界面系統(tǒng)應(yīng)用平臺(tái)采用了芯原的高性能2.5D圖形處理器（GPU）IP。

發(fā)表于：3/4/2024

全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在中國(guó)下線

湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室（JFS）近日官宣，2024 年 2 月 20 日，全球首片 8 寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實(shí)驗(yàn)室下線。

發(fā)表于：3/4/2024

美國(guó)半導(dǎo)體芯片重鎮(zhèn)遭重挫：出口損失57億美元

美國(guó)半導(dǎo)體芯片重鎮(zhèn)遭重挫：出口損失57億美元！Intel有三座廠

發(fā)表于：3/4/2024

印度政府批準(zhǔn)152億美元芯片工廠投資計(jì)劃

印度電子和信息技術(shù)部部長(zhǎng)阿什維尼·維什瑙當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月29日宣布，印度政府批準(zhǔn)價(jià)值152億美元的半導(dǎo)體制造廠投資計(jì)劃，其中包括塔塔集團(tuán)建設(shè)該國(guó)首座大型芯片制造廠的方案。具體而言，塔塔集團(tuán)將與力積電合作，在古吉拉特邦Dholera建立印度第一家芯片制造廠，投資規(guī)模9100億盧比；塔塔集團(tuán)子公司塔塔半導(dǎo)體組裝和測(cè)試將在阿薩姆邦建立價(jià)值2700億盧比的芯片封裝廠；印度企業(yè)集團(tuán)Murugappa旗下CG Power將與日本瑞薩電子和泰國(guó)Stars Microelectronics合作，在古吉拉特邦建設(shè)規(guī)模760億盧比的芯片封裝廠。維什瑙稱，這些工廠將在未來(lái)100天內(nèi)開(kāi)建，投產(chǎn)后將為印度國(guó)防、汽車和電信等行業(yè)制造和封裝芯片。

發(fā)表于：3/4/2024

是德科技與 Intel Foundry 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手

　　是德科技（NYSE: KEYS ）近日宣布，RFPro 電磁（EM）仿真軟件作為是德科技 EDA 先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ADS）綜合工具套件中的一員，現(xiàn)已通過(guò) Intel Foundry 認(rèn)證，可幫助設(shè)計(jì)工程師開(kāi)發(fā)采用 Intel 18A 工藝技術(shù)的設(shè)計(jì)。射頻集成電路（RFIC）設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)可結(jié)合使用這一全新的 EM 仿真功能和用于 Intel 18A 電路和物理設(shè)計(jì)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），一次性設(shè)計(jì)出成功的產(chǎn)品。

發(fā)表于：3/1/2024

Counterpoint：2023年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入下降8.8%

2023年是半導(dǎo)體公司微調(diào)戰(zhàn)略/前景和管理庫(kù)存調(diào)整的一年，為即將到來(lái)的人工智能熱潮做好準(zhǔn)備。根據(jù)Counterpoint的半導(dǎo)體收入跟蹤，全球前20大半導(dǎo)體供應(yīng)商中只有6家報(bào)告收入同比增長(zhǎng)。尤其是內(nèi)存行業(yè)，經(jīng)歷了強(qiáng)勁的逆風(fēng)，2023年的收入同比下降了43%。全球前20大半導(dǎo)體供應(yīng)商的市場(chǎng)份額為71%，低于2022年的76%，收入同比下降14%。

發(fā)表于：3/1/2024

三星開(kāi)始量產(chǎn)1TB microSD卡

2 月 29 日消息，三星宣布，目前正在對(duì)其 256GB SD Express microSD 卡進(jìn)行采樣測(cè)試，并透露已開(kāi)始量產(chǎn) 1TB UHS-1 microSD 卡。據(jù)悉，三星的 SD Express 卡讀取速度高達(dá) 800MB/s，這比 SATA SSD（最高 560MB/s）還要快，是傳統(tǒng) UHS-1 存儲(chǔ)卡（最高 200MB/s）的四倍。

發(fā)表于：3/1/2024

印度批準(zhǔn)1093.65億元芯片工廠投資計(jì)劃力積電協(xié)助建廠

印度批準(zhǔn)1093.65億元芯片工廠投資計(jì)劃力積電協(xié)助建廠印度電子和信息技術(shù)部部長(zhǎng)阿什維尼·維什瑙宣布，印度政府已批準(zhǔn)一項(xiàng)價(jià)值152億美元的半導(dǎo)體制造廠投資計(jì)劃。該計(jì)劃旨在推動(dòng)印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提高芯片制造能力，并預(yù)計(jì)在未來(lái)100天內(nèi)開(kāi)工建設(shè)。

發(fā)表于：3/1/2024

奔馳放棄全電動(dòng)車計(jì)劃歐洲人對(duì)電動(dòng)車也興趣不大

發(fā)表于：3/1/2024