EDA與制造相關(guān)文章 埃賽力達(dá)推出首款適用于340 nm-360 nm波長范圍的 以市場為導(dǎo)向的創(chuàng)新光電解決方案工業(yè)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——埃賽力達(dá)科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期宣布推出適用于340 nm-360 nm波長范圍的LINOS? UV F-Theta Ronar低釋氣鏡頭。作為市場上首款采用低釋氣和不銹鋼設(shè)計的可現(xiàn)貨供應(yīng)的UV F-Theta鏡頭，該新鏡頭比傳統(tǒng)產(chǎn)品具有更強(qiáng)的耐用性，可處理更高的UV脈沖能量和超短激光脈沖，適用于半導(dǎo)體、晶片加工和電子顯示行業(yè)中的激光材料加工應(yīng)用。 發(fā)表于：6/3/2024 美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅 能效優(yōu)異，消息稱美光在 HBM 內(nèi)存領(lǐng)域迅速成為韓廠威脅 6 月 3 日消息，韓媒 ETNews 近日報道指，在優(yōu)異能效等因素下，美光正迅速在 HBM 內(nèi)存領(lǐng)域成為 SK 海力士和三星電子兩大韓國存儲企業(yè)的威脅。 發(fā)表于：6/3/2024 中國電子學(xué)會綠色PC標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布 中國綠色PC標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布！首款酷睿Ultra綠色一體機(jī)減碳超60％ 發(fā)表于：6/3/2024 Intel CEO將宴請中國臺灣供應(yīng)鏈 Intel CEO將宴請中國臺灣供應(yīng)鏈：包括被NVIDIA獨漏的仁寶電腦 發(fā)表于：6/3/2024 美國推遲對中國進(jìn)口顯卡主板等恢復(fù)征收關(guān)稅 6月1日消息，據(jù)外媒最新報道稱，美國推遲對中國進(jìn)口的顯卡、主板等產(chǎn)品征收關(guān)稅，時間暫定寬限1年。 報道中提到，之前美國貿(mào)易代表（USTR）已通知，白宮將于6月15日對部分中國進(jìn)口商品重新啟動特朗普時代的關(guān)稅。 其中，25%的關(guān)稅將持續(xù)有效至2025年5月31日，但美國可以選擇更新和延長關(guān)稅，但最終他們還是選擇延后。 由于中國長期以來一直是顯卡、主板和許多其他組件的主要生產(chǎn)國，恢復(fù)征收關(guān)稅有可能抬高產(chǎn)品價格。 據(jù)美國金融研究辦公室（Office of the Federal Register OFR)公布的調(diào)查結(jié)果顯示，加增25%的高關(guān)稅會對美國PC市場造成很大損失。 目前沒有替代的產(chǎn)品，幾乎都來自中國制造，如果強(qiáng)制性加增，勢必會讓美國的PC玩家以更高價格才能買到產(chǎn)品。 發(fā)表于：6/3/2024 X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案 中國北京，2024年5月21日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。 發(fā)表于：5/31/2024 泰瑞達(dá)交付第 8,000 臺 J750 半導(dǎo)體測試系統(tǒng) 2024年5月21日，中國 北京訊 —— 全球先進(jìn)的自動測試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)（NASDAQ:TER）今日宣布，與獨立第三方集成電路測試服務(wù)企業(yè)偉測科技共同達(dá)成一項里程碑式結(jié)果，暨順利交付第 8,000 臺 J750 半導(dǎo)體測試平臺。 發(fā)表于：5/31/2024 2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽火熱開賽 2024 年 5 月 30 日，中國西安訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日與全國大學(xué)生電子設(shè)計競賽（以下：NUEDC）組織委員會在西安交通大學(xué)就2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽（以下：AITIC）舉辦簽署合作協(xié)議。值此，繼2018年以來，兩年一屆的“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請賽第四屆比賽，正式拉開帷幕。 發(fā)表于：5/31/2024 蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程 臺積電3nm產(chǎn)能被蘋果等包圓 蘇姿豐暗示：AMD將采用三星3nm制程 發(fā)表于：5/31/2024 日本宣布嚴(yán)格管控半導(dǎo)體和機(jī)床等領(lǐng)域 日本宣布嚴(yán)格管控半導(dǎo)體和機(jī)床等領(lǐng)域：防止技術(shù)外漏 5月30日消息，據(jù)媒體報道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省近日宣布，將在半導(dǎo)體、先進(jìn)電子零部件、蓄電池、機(jī)床及工業(yè)機(jī)器人、飛機(jī)零部件等五大關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)嵤└鼮閲?yán)格的監(jiān)管措施，以遏制技術(shù)外泄風(fēng)險。 發(fā)表于：5/31/2024 三星1nm工藝量產(chǎn)計劃提前至2026年 三星沖刺1nm工藝！量產(chǎn)計劃提前至2026年 發(fā)表于：5/31/2024 三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機(jī)器已停用 5月30日消息，韓國核安全部門對三星電子展開了一項重要調(diào)查，調(diào)查起因是該公司在其一家芯片工廠內(nèi)發(fā)生了一起輻射暴露事件，涉及兩名工人。 這兩名工人因手指出現(xiàn)“異?！钡妮椛浒Y狀被緊急送往醫(yī)院接受專業(yè)治療，目前他們已入院并正在接受更為細(xì)致的醫(yī)學(xué)檢查。盡管他們的手指呈現(xiàn)輻射暴露的跡象，但令人困惑的是，常規(guī)血液檢測結(jié)果顯示正常。 三星電子對此事件迅速作出反應(yīng)，公開承認(rèn)這兩名員工在位于韓國器興的半導(dǎo)體工廠中“手部意外受到X射線照射”。 發(fā)表于：5/31/2024 ASML High NA EUV光刻機(jī)晶圓制造速度提升150% ASML High NA EUV光刻機(jī)晶圓制造速度提升150%，可打印8nm線寬 發(fā)表于：5/31/2024 南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn) 南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn) 發(fā)表于：5/30/2024 消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠 5 月 30 日消息，隨著 DRAM 小型化的不斷推進(jìn)，SK 海力士、三星電子等公司正在致力于新材料的開發(fā)和應(yīng)用。 據(jù) TheElec，SK Hynix 計劃在第 6 代（1c 工藝，約 10nm）DRAM 的生產(chǎn)中使用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR），這是 MOR 首次應(yīng)用于 DRAM 量產(chǎn)工藝。 發(fā)表于：5/30/2024 ?…118119120121122123124125126127…?
