1月10日消息，臺(tái)積電去年底悄然宣布2nm工藝已經(jīng)如期量產(chǎn)，這代工藝將會(huì)是今年的重點(diǎn)，AMD的EPYC Venice處理器會(huì)首發(fā)。

接下來蘋果iPhone 18的A20、高通的驍龍8E6 Pro、聯(lián)發(fā)科的天璣9600等下代芯片也會(huì)是2nm工藝，為此臺(tái)積電一年內(nèi)就會(huì)把2nm產(chǎn)能從3.5萬片晶圓/月提升到14萬片晶圓/月，成為營收的主力來源之一。

2nm工藝在臺(tái)積電的工藝研發(fā)史上也會(huì)是非常重要的一代，臺(tái)積電日前在采訪中提到這是公司歷史上第二次采用全新的晶體管架構(gòu)，升級(jí)到了GAA晶體管架構(gòu)。

臺(tái)積電上一次換晶體管架構(gòu)還是2014年推出16nm工藝，當(dāng)時(shí)首次從平面晶體管升級(jí)到了FinFET這種3D晶體管。

說到這里，難免要感慨一件事——十幾年前Intel自信自己的工藝領(lǐng)先友商三年半，這話不是吹牛，他們?cè)?011年就開始量產(chǎn)22nm 3D晶體管工藝，22年的IVB處理器上正式首發(fā)，彼時(shí)臺(tái)積電、三星還在量產(chǎn)28nm工藝，技術(shù)差距比現(xiàn)在臺(tái)積電對(duì)Intel的優(yōu)勢(shì)還要大。

如今時(shí)代變了，臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上反而是最穩(wěn)妥但最快速量產(chǎn)的，2nm工藝只上了GAA晶體管，接下來的1.6nm工藝A16則會(huì)再上背面供電技術(shù)，進(jìn)一步提升密度和性能，尤其適合HPC高性能計(jì)算產(chǎn)品。

A16之后還有1.4nm級(jí)別的A14工藝，也會(huì)繼續(xù)改進(jìn)GAA及背面供電技術(shù)。

再往后就要到1nm節(jié)點(diǎn)了，目前還沒有哪家廠商敢說搞定1nm及以下工藝的量產(chǎn)，還在研發(fā)階段，晶體管結(jié)構(gòu)可能會(huì)再次升級(jí)到CFET晶體管，進(jìn)一步提高微縮水平。

同時(shí)半導(dǎo)體材料也會(huì)持續(xù)進(jìn)化，臺(tái)積電已經(jīng)在探索2D材料甚至1D材料，有望進(jìn)一步解決晶體管尺寸縮小的問題。

不過臺(tái)積電這些技術(shù)還是在探索階段，并沒有進(jìn)入真正的研發(fā)階段，所以未來不確定性極強(qiáng)，現(xiàn)在猜測(cè)1nm及以下工藝量產(chǎn)時(shí)間及性能都太早了。