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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

AI芯片“功耗懸崖”：大模型催生的冷卻技術(shù)革命

AI芯片的功耗和發(fā)熱量直接影響著企業(yè)的成本、風(fēng)險(xiǎn)以及芯片的穩(wěn)定性和壽命。如果芯片因過(guò)熱或短路而頻繁出現(xiàn)問(wèn)題，那么AI的訓(xùn)練和推理效果及效率也會(huì)受到嚴(yán)重影響。冷卻技術(shù)革命，顯得十分急需。

發(fā)表于：5/7/2025

SK海力士DRAM顆粒大漲12%

5月6日消息，近期，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)明顯漲價(jià)趨勢(shì)，尤其是消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)價(jià)格接連攀升。最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)顯示，SK海力士消費(fèi)級(jí)DRAM顆粒已經(jīng)上漲約12%，此前的漲價(jià)傳聞就此落定。

發(fā)表于：5/7/2025

中國(guó)科學(xué)院大突破：“強(qiáng)磁心臟”實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化

5月6日消息，中國(guó)科學(xué)院電工研究所日前宣布，該所王秋良院士團(tuán)隊(duì)成功研制出大口徑高場(chǎng)通用超導(dǎo)磁體。大口徑高場(chǎng)通用超導(dǎo)磁體是多領(lǐng)域重要設(shè)備，提供大空間高磁場(chǎng)環(huán)境，用途廣泛。此前這類超導(dǎo)磁體技術(shù)和產(chǎn)品被國(guó)外壟斷，解決關(guān)鍵問(wèn)題迫在眉睫。

發(fā)表于：5/7/2025

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)

【2025年5月6日, 德國(guó)慕尼黑訊】為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。

發(fā)表于：5/6/2025

塔塔電子計(jì)劃利用其印度晶圓廠為恩智浦代工芯片

塔塔電子計(jì)劃利用其印度晶圓廠為恩智浦代工芯片

發(fā)表于：5/6/2025

美國(guó)即將開征半導(dǎo)體關(guān)稅：稅率最高或達(dá)100%？

5月5日消息，美國(guó)特朗普政府可能最快于本周公布針對(duì)半導(dǎo)體加征關(guān)稅的細(xì)節(jié)，市場(chǎng)預(yù)估稅率可能高達(dá)25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來(lái)加征關(guān)稅，這也將對(duì)臺(tái)積電、三星等產(chǎn)能集中在亞洲地區(qū)的晶圓制造大廠，以及英偉達(dá)、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于亞洲晶圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計(jì)廠商帶來(lái)負(fù)面影響。

發(fā)表于：5/6/2025

荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASM宣布：部分產(chǎn)品將立即在美國(guó)生產(chǎn)

5月4日消息，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM International（以下簡(jiǎn)稱“ASM”）近日在2025年第一季財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，為應(yīng)對(duì)美國(guó)的關(guān)稅政策，ASM宣布將立即開始在美國(guó)本土進(jìn)行生產(chǎn)。

發(fā)表于：5/6/2025

傳三星拿下小部分高通驍龍8 Elite Gen 2 代工訂單

5月2日消息，據(jù)韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，移動(dòng)處理器大廠高通（Qualcomm）公司2025年下半年即將推出全新的第二代驍龍8至尊版移動(dòng)處理器（Snapdragon 8 Elite Gen 2），預(yù)計(jì)將會(huì)由臺(tái)積電利用其新一代的3nm制程N(yùn)3P代工。不過(guò)，最新的市場(chǎng)傳聞顯示，三星成功拿到了小部分的第二代驍龍8至尊版處理器代工訂單，將采用其2nm制程代工。

發(fā)表于：5/6/2025

破解AI集群擴(kuò)展中的關(guān)鍵瓶頸

人工智能（AI）正以前所未有的速度向前發(fā)展，整個(gè)市場(chǎng)迫切需要更加強(qiáng)大、更加高效的數(shù)據(jù)中心來(lái)夯實(shí)技術(shù)底座。德科技署名文章旨在探討人工智能集群擴(kuò)展面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，同時(shí)揭示為何“網(wǎng)絡(luò)會(huì)是新的瓶頸”。

發(fā)表于：4/30/2025

臺(tái)積電啟動(dòng)亞利桑那州第三座晶圓廠建設(shè)

4月30日消息，據(jù)彭博社報(bào)導(dǎo)，在美國(guó)特朗普政府計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體加征關(guān)稅之際，臺(tái)積電已開始啟動(dòng)了美國(guó)亞利桑那州第三座晶圓廠的工程建設(shè)，以加速在美國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)腳步。

發(fā)表于：4/30/2025

意法半導(dǎo)體高集成度低邊電流測(cè)量放大器簡(jiǎn)化高準(zhǔn)確度電流檢測(cè)

2025 年 4 月21 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體的 TSC1801低邊電流測(cè)量放大器集成了設(shè)定增益所需的匹配電阻，從而簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，節(jié)省了物料清單成本，并確保在整個(gè)溫度范圍內(nèi)增益準(zhǔn)確度在 0.15%以下。

發(fā)表于：4/30/2025

172nm晶圓光清洗方案助力半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代

在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。晶圓對(duì)微小污染物的敏感性也顯著增強(qiáng)。每一道工序前，晶圓表面都需清除顆粒、有機(jī)物、金屬雜質(zhì)和氧化層等污染物，以確保后續(xù)制程的順利進(jìn)行。以7nm及以下制程工藝為例，若晶圓表面每平方厘米存在超過(guò)3個(gè)0.5nm粒子，良率可能下降12%-18%。

發(fā)表于：4/30/2025

英飛凌將參加PCIM Europe 2025

2025年4月29日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將在德國(guó)紐倫堡舉行的歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展（PCIM Europe 2025）上展示最新的半導(dǎo)體、軟件及工具解決方案，這些解決方案有助于解決當(dāng)前的環(huán)保與數(shù)字化轉(zhuǎn)型挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：4/30/2025

2024年全球半導(dǎo)體材料營(yíng)收增長(zhǎng)3.8%

4月29日消息，據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）統(tǒng)計(jì)，2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)675億美元，同比增加3.8%。 SEMI表示，整體半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇，以及高效能運(yùn)算和高頻寬內(nèi)存制造對(duì)先進(jìn)材料需求增長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)了2024年半導(dǎo)體材料營(yíng)收成長(zhǎng)。其中，晶圓制造材料2024年?duì)I收同比增長(zhǎng)3.3%至429億美元，封裝材料營(yíng)收同比增長(zhǎng)4.7%至246億美元。因先進(jìn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）、3D儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和邏輯IC的復(fù)雜性和處理步驟增加，帶動(dòng)化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）和光阻劑等強(qiáng)勁增長(zhǎng)兩位數(shù)百分比。

發(fā)表于：4/30/2025

英特爾稱18A工藝今年下半年將具備大規(guī)模量產(chǎn)能力

4 月 30 日消息，據(jù)路透社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二，英特爾稱已有數(shù)家代工客戶計(jì)劃為公司正在開發(fā)的新一代制造工藝制作測(cè)試芯片。

發(fā)表于：4/30/2025

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