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DeepSeek將間接提升國產(chǎn)DRAM競爭力

2月19日消息，據(jù)市場研調(diào)機構(gòu)Counterpoint Research發(fā)布研究報告指出，中國AI大模型廠商推出的DeepSeek R1大型語言模型的訓練成本分別僅為600萬美元，相比ChatGPT、Gemini及Claude等領(lǐng)先模型低約96%，但性能卻毫不遜色。隨著DeepSeek R1在各類應(yīng)用上的大規(guī)模部署，將直接刺激對于大容量DRAM芯片和AI芯片的需求。目前中國補貼政策將有效降低存儲芯片廠商的生產(chǎn)成本，推動存儲芯片等半導體廠商積極擴產(chǎn)，將逐漸強化中國的半導體供應(yīng)鏈。

發(fā)表于：2/19/2025

對話式人工智能將在未來三年為全球創(chuàng)造570億美元的收入

2月18日消息，電信市場研究機構(gòu)Juniper Research的最新研究預(yù)測，全球?qū)υ捠饺斯ぶ悄芊?wù)的收入將從2025年的146億美元增長到2027年的230多億美元，未來三年將創(chuàng)造共570億美元的收入。

發(fā)表于：2/19/2025

一種用于時間交織ADC的低時間失配采樣方法

為了應(yīng)對時間交織型模數(shù)轉(zhuǎn)換器中時間失配導致的性能下降問題，提出了一種高效的分層串聯(lián)采樣方法。該采樣方法的思路是將與采樣精度相關(guān)的時鐘源集總在主采樣開關(guān)位置，緩解由于多路子采樣開關(guān)控制時鐘存在時間失配導致采樣精度下降的問題。此外，還設(shè)計了一種高速自舉式采樣開關(guān)，具有開啟速度快、線性度高的特點。該采樣方法基于22 nm CMOS工藝搭建電路并進行后仿真驗證。仿真結(jié)果表明該采樣方法對時間失配不敏感，在0.9 V電源電壓，輸入信號頻率為2 GHz下，采樣網(wǎng)絡(luò)的信號噪聲失真比（SNDR）達到72 dB。

發(fā)表于：2/18/2025

針對總劑量效應(yīng)4H-SiC功率器件的加固設(shè)計方法

介紹了總劑量效應(yīng)對4H-SiC功率器件的影響以及對應(yīng)的加固方案。首先介紹了4H-SiC功率器件的電氣特性以及工作時面臨的輻照環(huán)境。接著根據(jù)輻射對器件特性的影響，識別輻射缺陷，并建立了退化機制。然后，分析了單極性器件和雙極性器件的輻照的特性。最后，針對器件在輻照環(huán)境中的退化機理，分別從工藝、器件結(jié)構(gòu)、版圖與電路方面提出了加固設(shè)計方法。

發(fā)表于：2/18/2025

基于深度學習的電廠跑冒滴漏視頻識別應(yīng)用研究

為解決火電廠設(shè)備在運行過程中會存在“跑冒滴漏”現(xiàn)象，通過視覺識別技術(shù)及深度學習的應(yīng)用，提出基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的電廠跑冒滴漏視頻識別模型，并對模型進行優(yōu)化和改進。該方法基于火電廠攝像頭進行現(xiàn)場圖像的采集，進行數(shù)據(jù)預(yù)處理和優(yōu)化，同時按照缺陷形態(tài)建立對應(yīng)數(shù)據(jù)集。然后，通過語義分割、數(shù)據(jù)增強、注意力機制、更改激活函數(shù)等技術(shù)與卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)合，對YOLOv5算法進行深層次優(yōu)化，包括訓練策略的改進和模型評價調(diào)整，增強了模型算法對復(fù)雜場景識別理解能力，可有效提高視頻識別精度與速度，有助于提高火電廠巡檢的自動化、智能化水平，具有較好的工程應(yīng)用前景。

發(fā)表于：2/18/2025

北京數(shù)字經(jīng)濟算力中心開啟人工智能產(chǎn)業(yè)新時代

1月26日，北京電子數(shù)智科技有限責任公司（以下簡稱“北電數(shù)智”）正式上線行業(yè)首個國產(chǎn)AI芯片在人工智能應(yīng)用場景下的適配認證體系——“星火·國產(chǎn)算力AI原生適配認證”。該認證體系依托北電數(shù)智“先進計算迭代驗證平臺”和“國產(chǎn)算力PoC場景驗證平臺”構(gòu)建，精準契合國產(chǎn)算力和異構(gòu)算力的市場需求趨勢，有效緩解國產(chǎn)芯片市場信任、客戶實操場景使用等層面問題，助推加速國產(chǎn)算力應(yīng)用進程。

發(fā)表于：2/18/2025

RS Technologies宣布投資12.17億元擴產(chǎn)再生晶圓

2月18日消息，為應(yīng)對市場需求旺盛，全球再生晶圓大廠RS Technologies近日宣布將投資254億日元（約合人民幣12.17億元），繼續(xù)擴大在日本、中國臺灣、中國大陸的再生晶圓產(chǎn)能，目標在2027年建立全球100萬片以上的月產(chǎn)能。

發(fā)表于：2/18/2025

傳三大DRAM廠商停產(chǎn)DDR3/DDR4

2月17日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報導，隨著DRAM價格的持續(xù)下跌，三星、SK海力士和美光等DRAM大廠都將在2025年內(nèi)停產(chǎn)DDR3和DDR4，一旦相關(guān)產(chǎn)品停產(chǎn)，市場預(yù)期中國臺灣DRAM廠商將有望出現(xiàn)轉(zhuǎn)單效益，且最快在今年夏季后扭轉(zhuǎn)DRAM市場供過于求的困境，出現(xiàn)供不應(yīng)求的狀況。該消息刺激華邦電子、南亞科技17日股價分別大漲8.16%和6.35%。報道稱，2025年1月份指標性產(chǎn)品DDR4 8Gb批發(fā)價（大宗交易價格）為每個1.75美元左右，容量較小的4Gb產(chǎn)品價格為每個1.34美元左右，皆較前一個月份下跌6%，皆為連續(xù)第五個月下跌。其中8Gb產(chǎn)品創(chuàng)1年10個月來（2023年3月以來）最大跌幅、4Gb產(chǎn)品創(chuàng)1年9個月來（2023年4月以來）最大跌幅。

發(fā)表于：2/18/2025

韓國政府宣布今年將采購10000顆高性能GPU

2月18日消息，據(jù)路透社報道，韓國代理總統(tǒng)崔相穆于17日發(fā)布聲明，宣布韓國將在今年取得1 萬顆高性能的繪圖處理器（GPU），以便在全球人工智能（AI）競賽中保持一定優(yōu)勢。

發(fā)表于：2/18/2025

傳SK海力士與三星將停用中國EDA

傳SK海力士、三星將停用中國EDA

發(fā)表于：2/18/2025

消息稱三星攜1b DRAM樣品訪問英偉達

消息稱三星攜1b DRAM樣品訪問英偉達，全力爭取HBM3E訂單

發(fā)表于：2/18/2025

消息稱英特爾代工可能引入多家外部股東

消息稱英特爾代工可能引入多家外部股東，含臺積電、高通、博通等巨頭

發(fā)表于：2/18/2025

今年一季度NAND Flash價格將繼續(xù)下跌13-18%

2月17日消息，根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce調(diào)查顯示，今年第一季NAND Flash市場將持續(xù)面臨供過于求的挑戰(zhàn)，導致價格下滑13-18%，供應(yīng)商面臨虧損困境。TrendForce認為，目前NAND Flash 市場的供需結(jié)構(gòu)將有望在下半年顯著改善，包含原廠減產(chǎn)、智能手機庫存去化、AI 及DeepSeek效應(yīng)等因素將推升對于NAND Flash的需求，有望緩解供過于求的局面，預(yù)期下半年也將迎來NAND Flash價格回升。

發(fā)表于：2/18/2025

中國移動助力中國石油完成DeepSeek全棧國產(chǎn)私有化部署

2月8日，在中國移動的助力下，中國石油高效完成DeepSeek V3/R1全棧國產(chǎn)化的訓推適配和私有化部署。此次部署，基于DeepSeek的關(guān)鍵技術(shù)點，開展了系列基礎(chǔ)模型算法創(chuàng)新，實現(xiàn)了從底層芯片到框架、模型的全棧自主可控，為推動人工智能技術(shù)在能源化工領(lǐng)域的深度應(yīng)用與國產(chǎn)AI技術(shù)生態(tài)的規(guī)?；涞刈⑷肓藦姶髣恿?。

發(fā)表于：2/18/2025

消息稱臺積電決定亞利桑那第三晶圓廠今年年中動工

2 月 17 日消息，臺媒《經(jīng)濟日報》本月 14 日報道稱，在臺積電赴美召開董事會的行程期間，這家芯片代工巨頭的掌門人魏哲家同美國子公司 TSMC Arizona 干部舉行內(nèi)部會議，作出了多項決議。其中在先進制程部分，臺積電計劃在亞利桑那菲尼克斯建設(shè)的第三晶圓廠 Fab 21 p 將于今年年中動工。該晶圓廠將包含 2nm 和 A16 節(jié)點制程工藝，原定于本十年末投產(chǎn)，不過目前看來有望提前至 2027 年初試產(chǎn)、2028 年量產(chǎn)。此外，臺積電方面計劃邀請美國政府重要官員出席 Fab 21 p 的動土典禮。

發(fā)表于：2/17/2025