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又一家美国公司宣布研发X光刻机

美国初创公司Substrate宣布以X光粒子加速器光源开发光刻机，宣称成本仅为ASML EUV方案一半，目标2028年量产，可将先进晶圆成本由约10万美元降至1万美元；公司估值10亿美元，已获1亿美元风投，尚无政府资助，计划先挑战ASML，再在美建晶圆厂对标台积电。

發(fā)表于：2025/10/30

央企510亿战新基金来了重点支持人工智能等

10月29日讯，又一只央企母基金来了。今日，由国务院国资委发起，委托中国国新设立和管理的中央企业战略性新兴产业发展专项基金在北京启动。 510亿！央企战新基金来了重点支持人工智能、航空航天等未来产业

發(fā)表于：2025/10/30

数据质量高效校验方法研究

数据质量监控是数据处理领域的重要挑战。提出了一种创新方法，通过规则配置高效生成数据质量验证规则与告警策略，并在单一SQL查询中实现多指标并发校验，显著提升了校验效率。详细阐述了技术方案设计原理并做了性能对比实验：数据处理速度提升10~20倍,规则配置效率提升4~5倍，实际应用中的资源消耗指标(CPU、内存）与传统解决方案基本一致，准确率仍保持在99.99%，为大数据环境下的数据质量管理提供了可量化的参考实践。

發(fā)表于：2025/10/29

Pickering公司新型静电屏蔽技术有效抑制噪声干扰

高性能舌簧继电器全球领导者Pickering Electronics升级了其144系列大功率舌簧继电器，新增配备静电屏蔽结构的衍生型号。该系列产品额定功率高达 80w，以0.25英寸间距可紧密排布。

發(fā)表于：2025/10/29

意法半导体半桥栅极驱动器简化低压系统中的GaN电路设计

2025年10月21日，中国——意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥氮化镓(GaN)栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计

發(fā)表于：2025/10/29

全球首个6英寸二维半导体单晶量产化制备

据“科创江北”消息，2025年10月23日，江北新区企业南京极钼芯科技有限公司（以下简称“极钼芯科技”）与南京大学科研团队在《Science》期刊共同发表重要研究成果。极钼芯科技深度参与工艺开发与设备研制，为研究团队提供了自主研制的二维半导体MOCVD设备Oxy-MOCVD 200 ultra，成功实现了全球首个6英寸二维半导体单晶系列的量产化制备。该设备的全面国产化与自主可控性，标志着我国在下一代集成电路关键材料与装备领域取得重要突破。极钼芯科技同步推出多款二维半导体单晶晶圆与单晶衬底产品，为科研与产业应用提供高质量材料解决方案。

發(fā)表于：2025/10/29

传台积电先进制程功臣将退休加盟英特尔

10月28日消息，据中国台湾地区媒体报道，有传闻称，今年7月底才退休的台积电前技术研发暨企业策略发展资深副总经理罗唯仁可能将会加盟英特尔研发部门。

發(fā)表于：2025/10/29

VESA发布DisplayPort汽车扩展标准合规测试规范模型

VESA重点介绍了其于2025年5月发布的DP AE合规测试规范模型。这一完全可执行的Linux C模型包含500多项功能安全与信息安全合规测试，使芯片制造商能够基于VESA DP AE标准，构建和测试用于汽车显示器的视频源（电子控制单元/ECU）、桥接器件（如串行器/解串器）和接收设备（如时序控制器）。

發(fā)表于：2025/10/29

消息称苹果缺席台积电A16工艺首单

10 月 29 日消息，韩国媒体 EBN News 昨日（10 月 28 日）发布博文，报道称英伟达已成为台积电下一代 A16工艺的目前唯一客户，双方正就此展开联合测试，该工艺预估 2027 年部署。与此同时，消息还指出，作为台积电长期大客户的苹果公司，尚未就其移动应用处理器（AP）采用 A16 工艺一事展开洽谈。 IT之家援引博文介绍，根据英伟达公布的 GPU 路线图，其产品演进顺序为 Hopper、Blackwell、Rubin，最终到达 Feynman。其中，计划于 2028 年推出的 Feynman 架构 GPU，预计将全面采用台积电的 A16 工艺制造。

發(fā)表于：2025/10/29

NVIDIA IGX Thor处理器将实时物理AI引入工业和医疗边缘场景

NVIDIA 今日推出了 NVIDIA IGX Thor，这是一个功能强大的工业级平台，专为将实时物理AI直接部署于边缘端而打造。该平台将高速传感器处理、企业级可靠性和功能安全性整合到桌面级紧凑模组中。相较于上一代产品 NVIDIA IGX Orin，IGX Thor 的 AI计算性能提升至 8 倍，能够帮助开发者构建感知、推理和行动更快速、更安全、更智能的智能系统。

發(fā)表于：2025/10/29

MEMS热式气体流量传感器设计

在工业生产过程中提供准确的流量检测信息对于系统性能的提升有着重要的作用，基于MEMS技术制造出的热式流量传感器通过采集温差变化来反映管道内流量变化，具有体积小、精度高、微流量段灵敏的特点。介绍了热式流量传感器的热分布模型，利用COMSOL Multiphysics软件对管道内的流量传感器进行电场、流场和热场的耦合仿真，确定传感器芯片的关键参数。采用MEMS加工工艺制造流量传感器芯片，搭建标定测试平台，对传感器芯片进行封装测试。传感器测量范围达到300 SLM，数字输出准确度等级达到1.0，模拟输出准确度等级达到1.5。

發(fā)表于：2025/10/28

等离子镀膜用射频电源功率计算与控制系统研究

当前的等离子磁控溅射镀膜领域广泛使用的射频电源存在功率控制精度不足，功率可调范围有限，以及因功率计算不准确导致输出功率波动较大和误差显著等问题。为此，基于数字下变频技术生成射频信号源，提出了一种等离子体镀膜用射频电源功率计算与控制系统，通过VI Sensor上耦合的传输线上的信息直接计算出射频电源的输出功率，并利用控制器调节信号源幅值，从而实现对输出功率的精确调节。仿真验证该方法能够实现快速、准确的功率计算及高精度的功率调节。通过实际样机测试，该方案被证实能够显著降低输出功率误差，并提高镀膜样品上的成膜质量，为等离子磁控溅射镀膜技术的发展注入了新的活力。

發(fā)表于：2025/10/28

基于镜频抑制混频器的X波段上下变频模块设计

上下变频模块是微波电路中的关键部分，其性能的好坏将直接影响整个系统的性能。设计了一种基于镜频抑制混频器的X波段上下变频模块。通过对整机主要指标的分析与计算，下变频采用一次变频方案，上变频采用两次变频方案。在满足镜频抑制度要求的情况下，利用一个固定本振频率进行多次变频的方式，使上变频具有较高的本振隔离度。测试结果表明，下变频的镜频抑制度为29 dBc，发射端口的本振抑制度为71 dBc。模块指标符合性较好，满足使用要求，对研制该类型的上下变频组件具有一定的参考价值。

發(fā)表于：2025/10/28

一种能够混合噪声的模拟高频腔的设计及实现

同步辐射加速器高频系统的集成与调试离不开高频腔，但其造价昂贵，加工周期长，使用实际高频腔测试低电平控制器（LLRF）有损坏腔体的风险；此外，实际高频腔的中心频率是固定的，只能测试工作在对应频率的低电平控制器。为了解决上述问题，设计了一种中心频率能够跟随低电平，同时可以混合白噪声的模拟高频腔装置，用来测试低电平控制器的各项性能。详细阐述了模拟高频腔的设计思路与实现方法，并使用所设计的模拟高频腔与LLRF链接、测试，证明了该模拟高频腔可以测试工作在不同频率下的LLRF，测试其幅相稳定性及其闭环控制能力。所设计的模拟高频腔对高频系统的集成、调试具有巨大的现实意义，能够大大提高低电平控制器的测试效率，同时也能有效避免为测试LLRF导致实际高频腔受损的风险。

發(fā)表于：2025/10/28

基于SM2的SoC安全芯片双向身份鉴别技术研究

片上系统（System on Chip， SoC）芯片会针对产品固件进行SM2签名和验签，以确定产品固件的合法性，但现有技术中产品固件未对芯片进行身份鉴别，由于无法确定芯片是否合法，产品固件和数据的安全性得不到保护。基于SM2算法，针对SoC安全芯片中产品固件导入过程，实现了基于国产密码SM2算法的芯片鉴别固件、固件鉴别芯片的双向身份鉴别技术。方案安全性高、可实现性强，对SoC安全芯片对引导程序、产品固件进行双向身份鉴别有普遍现实借鉴意义。所设计的SM2模块，具有芯片面积小、电路设计难度小、CPU操作简单、适用于嵌入式SoC安全芯片等优点。

發(fā)表于：2025/10/28