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EDA與制造相關(guān)文章

蘇州PCB龍頭東山精密59.35億元收購臺(tái)灣索爾思光電

中國(guó)印刷電路板（PCB）龍頭大廠東山精密宣布59.35億元收購位于中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園的光通信廠商索爾思光電之后，中國(guó)臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部門”近日表示，尚未收到索爾思光電的投資計(jì)劃變更申請(qǐng)，將在收到申請(qǐng)案后，會(huì)同關(guān)等單位嚴(yán)格審查。

發(fā)表于：7/3/2025

英特爾計(jì)劃叫停玻璃基板開發(fā)

7月3日消息，據(jù)媒體報(bào)道，隨著新任首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）啟動(dòng)一系列改革措施，英特爾正在對(duì)旗下業(yè)務(wù)及開發(fā)工作進(jìn)行調(diào)整。

發(fā)表于：7/3/2025

美國(guó)解除對(duì)中國(guó)芯片設(shè)計(jì)軟件EDA的出口限制

7月3日，據(jù)彭博社報(bào)道，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)巨頭西門子表示，根據(jù)公司收到的美國(guó)政府通知，美國(guó)已解除對(duì)華芯片設(shè)計(jì)軟件的出口限制。特朗普政府已解除了至少部分對(duì)華芯片設(shè)計(jì)軟件出口許可要求。根據(jù)西門子的聲明，美國(guó)商務(wù)部已通知公司，其在中國(guó)開展業(yè)務(wù)已無需再申請(qǐng)政府許可。西門子在聲明中稱，已恢復(fù)了中國(guó)客戶對(duì)其軟件和技術(shù)的全面訪問權(quán)限。

發(fā)表于：7/3/2025

High-NA EUV遇冷晶圓廠紛紛推遲導(dǎo)入時(shí)間

7月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，2023年末ASML向英特爾交付了首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界普遍認(rèn)為，High-NA EUV光刻技術(shù)將在先進(jìn)芯片開發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

發(fā)表于：7/3/2025

三星電子計(jì)劃明年3月啟動(dòng)第十代4xx層V-NAND量產(chǎn)線建設(shè)

7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星計(jì)劃明年三月啟動(dòng)其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產(chǎn)線建設(shè)，有望當(dāng)年 10 月進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。

發(fā)表于：7/3/2025

臺(tái)積電計(jì)劃兩年后停止氮化鎵晶圓生產(chǎn)

7 月 3 日消息，根據(jù)納微半導(dǎo)體 Navitas 向美國(guó)證券交易委員 SEC 遞交的 FORM 8-K 文件和發(fā)布于 7 月 1 日的新聞稿，該公司當(dāng)前唯一氮化鎵 (GaN) 晶圓供應(yīng)商臺(tái)積電計(jì)劃于兩年后的 2027 年 7 月終止相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。

發(fā)表于：7/3/2025

消息稱數(shù)百中國(guó)工程師撤離印度iPhone工廠

7 月 2 日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士透露，富士康科技集團(tuán)已要求數(shù)百名中國(guó)工程師和技術(shù)人員從其位于印度的 iPhone 工廠返回中國(guó)，這對(duì)蘋果公司在南亞國(guó)家的生產(chǎn)擴(kuò)張計(jì)劃造成了打擊。

發(fā)表于：7/3/2025

消息稱英特爾考慮放棄向新外部客戶推銷Intel 18A (-P) 工藝

7 月 2 日消息，路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間 1 日援引消息人士報(bào)道稱，英特爾 CEO 陳立武責(zé)成公司擬定一系列將在董事會(huì)上討論的方案，其中包含是否停止向新客戶推銷英特爾代工的 Intel 18A (-P) 先進(jìn)制程工藝。

發(fā)表于：7/2/2025

三星代工低價(jià)搶到2nm版高通驍龍8 Elite 2

7月2日消息，博主數(shù)碼閑聊站爆料，三星代工生產(chǎn)了部分驍龍8 Elite 2芯片，工藝升級(jí)為三星SF2（2nm制程），套片報(bào)價(jià)比臺(tái)積電3nm版本更低，明年可能會(huì)上線。他還爆料，目前沒有廠商采購三星2nm版驍龍8 Elite 2，高通主要供貨的是臺(tái)積電3nm版。 2nm版高通驍龍8 Elite 2首曝：三星代工根據(jù)此前曝光的消息，今年9月登場(chǎng)的驍龍8 Elite 2基于臺(tái)積電N3P工藝（臺(tái)積電第三代3nm）制造，并采用第二代自研Oryon CPU架構(gòu)，GPU獨(dú)立緩存提升至16MB。

發(fā)表于：7/2/2025

消息稱三星代工調(diào)整戰(zhàn)略 1.4nm量產(chǎn)計(jì)劃將推遲

7月1日消息，據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea 報(bào)導(dǎo)，三星電子旗下Exynos 移動(dòng)處理器的開發(fā)策略預(yù)計(jì)在未來2至3年內(nèi)將迎來重大轉(zhuǎn)變，其中的一項(xiàng)關(guān)鍵調(diào)整在于，暫緩原定于2027年量產(chǎn)1.4nm制程節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃。

發(fā)表于：7/2/2025

半導(dǎo)體企業(yè)在美新廠建設(shè)投資稅收抵免比例有望大幅提升

7 月 2 日消息，美國(guó)參議院當(dāng)?shù)貢r(shí)間 1 日以 51:50 的微弱優(yōu)勢(shì)通過了參議院版本的“大而美”稅收與支出法案，該法案由于與眾議院版本存在較大出入尚待眾議院再次通過和總統(tǒng)批準(zhǔn)。而根據(jù)參議院版本的“大而美”法案，半導(dǎo)體企業(yè)如果在 2026 年底的截止日期前啟動(dòng)新廠建設(shè)，則獲得的投資額稅收抵免將達(dá)到 35%。這一比例相較當(dāng)前實(shí)行的 25% 明顯提升，也高于法案草案階段設(shè)想的 30%。

發(fā)表于：7/2/2025

HBM內(nèi)存價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)雨欲來

7月1日消息，據(jù)報(bào)道，三星正在與NVIDIA洽談12層堆疊HBM3E內(nèi)存的供應(yīng)事宜，旨在為NVIDIA的GB300 Blackwell Ultra提供支持。報(bào)道稱，三星設(shè)備解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人于6月25日訪問了NVIDIA位于硅谷的總部，討論了HBM3E的供應(yīng)問題，此次訪問距離5月初的行程不到兩個(gè)月。

發(fā)表于：7/2/2025

傳聯(lián)電計(jì)劃進(jìn)軍先進(jìn)制程或?qū)⑴c英特爾合作6nm

7月1日，據(jù)《日經(jīng)亞洲》（Nikkei Asia）報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣第2大晶圓代工廠商聯(lián)電（UMC）正在評(píng)估進(jìn)軍先進(jìn)制程制造的可行性，目前這個(gè)領(lǐng)域主要由臺(tái)積電、三星和英特爾主導(dǎo)。對(duì)此，聯(lián)電首席財(cái)務(wù)官劉啟東也指出，如

發(fā)表于：7/2/2025

美光披露其對(duì)美國(guó)2000億美元投資計(jì)劃細(xì)節(jié)

7月1日消息，據(jù)Tom's hardware報(bào)道，美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）近日詳細(xì)介紹了其不久前宣布的對(duì)美國(guó)投資2000億美元的投資計(jì)劃。在今年6月12日，美光就宣布，其計(jì)劃將在美國(guó)的存儲(chǔ)制造投資擴(kuò)大到約 1500 億美元，研發(fā)投資也將擴(kuò)大到 500 億美元，從而創(chuàng)造約 90,000 個(gè)直接和間接工作崗位。

發(fā)表于：7/2/2025

IBM稱全力支持Rapidus 2027年量產(chǎn)2nm

7 月 1 日消息，IBM 半導(dǎo)體部門總經(jīng)理 Mukesh Khare 在接受日媒《讀賣新聞》采訪時(shí)表示，IBM 正全力支持 Rapidus 在 2027 年實(shí)現(xiàn) 2nm 制程量產(chǎn)的目標(biāo)，雙方的合作有望延續(xù)到更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。

發(fā)表于：7/1/2025

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