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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出高速、大電流的SiC溝槽MOS模塊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì),由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn),從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。該模塊共搭載了16個(gè)羅姆開發(fā)的SiC溝槽MOS,經(jīng)驗(yàn)證可在600V/1000A條件下工作,而且實(shí)現(xiàn)了Si-IGBT不可能實(shí)現(xiàn)的數(shù)十納秒的超高開關(guān)速度。不僅如此,這種模塊的使用范圍高達(dá)1200V級。另外,在250℃的高溫下亦可工作?;谶@些特點(diǎn),不僅傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊,現(xiàn)在正被廣泛開發(fā)的SiC模塊中,也成功開發(fā)出了電氣性能和機(jī)械性能都很卓越的模塊。該模塊預(yù)計(jì)于2012年開始面向特殊用途提供樣品,3~4年后達(dá)到實(shí)際應(yīng)用階段。  

發(fā)表于:11/16/2011